CCD与CMOS成像器件比较
比较CCD与CMOS图像传感器的基本概念、电荷转移与有源读出、曝光方式及拖影差异。
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比较CCD与CMOS图像传感器的基本概念、电荷转移与有源读出、曝光方式及拖影差异。
D触发器在时钟边沿采样D端电平并保持至下一有效边沿，用于方向信号采样。
PN结光照下产生光生载流子，形成光电流与光生电动势，并随光照和温度变化。
P型与N型半导体接触后，载流子扩散留下离化杂质空间电荷，形成由N区指向P区的内建电场，热平衡时扩散与漂移平衡。
PN结势垒电容由耗尽层电荷随偏压变化形成，与结面积成正比、与耗尽层厚度成反比，并随反偏电压和掺杂浓度变化。
光电池短路电流随光照线性增长，开路电压非线性饱和；作电流源需近短路，温度升高使开路电压降、短路电流增。
介绍光纤模式、基模与多模、导模与包层模/辐射模耦合、模式耦合饱和、有限孔径接收散斑光强变化及参考通道抑制共模干扰。
两束相干光叠加后光强随相位差按余弦变化，相位差由光程差、波长和有效折射率决定，偏振态影响条纹对比度。
惯性参考系与惯性空间的基本概念，及其作为载体转动测量参考基准的关系。
折射率定义、入射角与折射角、折射定律及互余角关系，用于分析光在介质界面的偏折与全反射条件。
放大整形电路将正弦周期信号转换为方波脉冲的基本功能、原理与方波特征。
带电粒子在电场中受电场力作用，沿电场方向（负电荷沿反方向）加速并获得动能；电场对粒子做功。
电导率描述材料导电能力，与载流子浓度和迁移率相关；载流子浓度增大使电导率增大、电阻率减小，电阻率与电导率互为倒数。
以锥体顶点为球心，锥面在球面上截取面积与球半径平方之比，单位球面度，用于描述辐射空间角度分布。
介绍线性、非线性关系与阈值判断的基础概念、公式条件及在光电器件输入输出转换中的作用。
莫尔条纹小角近似放大关系，以及衍射扫描自成像间隙与成像扫描物像间隙的区分。
负载电阻与结电容构成RC回路，其时间常数决定光电器件高频响应带宽。
逻辑非对单个二值信号取反，输出与输入相反的逻辑值，是布尔代数基本一元运算。
线偏振光经检偏器后透射光强与起偏器、检偏器透光轴夹角余弦平方成正比。