低频模型可忽略串联L、R时,等效电容是什么?
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电容式传感器在低频时近似为 Ce=C+Cp 与 Re≈Rg 的并联,高频时须保留电缆电感电阻、忽略漏电阻并按串联阻抗求等效电容,且供电频率应低于谐振频率。
实际电容式传感器并非纯电容。当环境温度不高、湿度不大且供电电源频率合适时,可近似视为纯电容;一般情况下,其等效电路包含电感 L、电阻 R、电容 C、寄生电容 Cp 和漏电阻 Rg。其中 L 为引线电缆与传感器本身的电感,R 为引线、极板及金属支架电阻之和,C 为传感器本身的电容,Cp 为引线、测量电路及极板与外界形成的总寄生电容,Rg 为极间等效漏电阻(绝缘电阻),因介质非绝对绝缘,其值为有限数值。拓扑上,L 与 R 串联后,连接至由 C、Cp 和 Rg 组成的并联网络。
低频交流供电时,传感器电容的容抗 Zc=1/(jωC) 很大,电感 L 和电阻 R 的影响可忽略。此时等效电容 Ce=C+Cp,等效电阻 Re≈Rg,电路简化为 Ce 与 Re 的并联模型。式中 ω 为电源角频率,单位 rad/s;C、Cp 单位为 F;Rg 单位为 Ω。
高频下电容阻抗减小,L 和 R 的影响显著,漏电阻 Rg 可忽略。电路简化为 R2、L 与 C、Cp 并联后的电容串联,其中 R2 由传输线、极板及支架电阻组成,C 与 Cp 并联后的总电容记为 Ce=C+Cp。由于存在串联电阻 R2,该支路不是纯电容支路,其等效阻抗为 Z=jωL+1/(jω(C+Cp))+R2,不能写成纯容抗 1/(jωCe) 与 R2 相等的形式;若需用等效电容表示,应取复等效电容 Ceq=1/(jωZ),该复数参数包含频率依赖和损耗信息,不能等同于单一实电容。电路谐振频率可达几十兆赫兹,电源频率须低于此值,以避免谐振导致测量失效。
低频并联近似适用于容抗远大于串联 L、R 阻抗的情形;高频串联近似适用于容抗降低、L 与 R 不可忽略而漏电阻影响可忽略的情形。两种近似均以供电频率合适为前提。
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低频模型可忽略串联L、R时,等效电容是什么?
低频简化时漏电阻Rg应如何处理?
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