忽略漏电与串联小电阻且低于谐振时,高频等效电容是什么?
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电容式传感器在高频下需考虑引线电感L和串联电阻R2,忽略漏电阻,由串联阻抗求得等效电容Ce=C/(1-ω²LC),等效灵敏度ke=kg/(1-ω²LC)²,供电频率须低于谐振频率。
电容式传感器的实际等效电路包含:传感器自身电容C0、寄生电容Cp、极板间漏电阻Rg、引线及极板金属支架的电阻r、引线和传感器本身的电感L。在低频工作时,电容阻抗很大,L和r的影响可忽略,等效电路为C0与Cp并联后再与Rg并联;在高频工作时,容抗降低,漏电阻Rg可忽略,但L和r的影响不可忽略,等效电路为L、r与并联电容(C0∥Cp)串联。为简化分析,将并联电容统一记为C,串联电阻记为R2(由传输线、极板及支架电阻组成),则高频等效电路为L、R2、C三者串联。保留非零R2时,该串联支路整体呈有损复阻抗,不能等效为纯电容;只有在忽略R2(即R2相对容抗可忽略)后,才可将整体视为实等效电容Ce,且该近似应限定在远离谐振的条件下使用。
设角频率为ω(单位rad/s),传感器等效电容为Ce。串联支路的阻抗平衡关系为:
该式仅在把 Ce 理解为复等效电容、即 Ce=1/(jωZ) 时成立;若 Ce 取实等效电容,则不能与含 R2 的有损支路相等。
该式仅在把 Ce 理解为复等效电容、即 Ce=1/(jωZ) 时成立;若 Ce 取实等效电容,则不能与含 R2 的有损支路相等。
其中j为虚数单位,L为固有电感(含电缆电感,单位H),C为传感器并联电容(单位F),R2为串联电阻(单位Ω)。
由于传感器电容量小、容抗大,R2相对容抗可忽略,上式简化为:
整理得等效电容:
该式是在忽略R2后得到的实等效电容表达式,表明Ce不仅与C有关,还受固有电感L和角频率ω影响;当R2不可忽略时,整体为有损复阻抗,不能以该实等效电容表示。
设传感器固有灵敏度为kg(由结构决定),则高频下的等效灵敏度ke为:
可见,当供电电源频率较高时,灵敏度由kg变为ke,且ke与传感器固有电感(含电缆电感)及角频率ω相关。
由Ce表达式可知,当1-ω²LC=0时,Ce趋于无穷大,电路发生谐振,谐振角频率为:
对应的谐振频率f0=1/(2π√(LC)),可达几十兆赫兹。为保证传感器正常工作,供电电源频率必须低于谐振频率,即ω<ω0,否则等效电容和灵敏度将发生剧烈变化甚至失去意义。
上述推导适用于高频工作状态,此时漏电阻Rg可忽略,L和r的影响不可忽略;且忽略串联电阻R2,要求传感器电容量小、容抗远大于R2。低频工作时,L和r的影响可忽略,应采用并联等效电路模型,漏电阻会降低灵敏度,需选用较高电源频率(一般为50kHz到几兆赫)。
教材5.3文字明确高频保留C与Cp并联,故Ct=C+Cp。原课件65却同时叉掉Cp、Rg,66继续用C得Ce=C/(1−ω²LC)。这两个写法的区别在保留的电容,而不是符号本身。若确有依据使Cp相对C可忽略,可用Ct≈C;若将Ct记作一个合并C,也必须说明已经包含Cp。不能只因激励高频就认定Cp消失。
若C与Cp都存在,用Ct作公式;固定Cp也会通过Ct改变谐振和平方系数。源教材与课件简化差异在此记录,实际频率、损耗及寄生应测定。
基础测试统一使用选择题,先确认概念、定义和关键判断是否扎实。
忽略漏电与串联小电阻且低于谐振时,高频等效电容是什么?
提高激励频率接近LC谐振时应如何处理?
暂无引用。