关于法拉第磁光效应,下列说法正确的是
正在打开页面…
正在打开页面…
偏振态调制型光纤传感器利用法拉第磁光效应、克尔电光效应或光弹效应,将被测磁场、电场或应力转换为光纤中光偏振态的变化,再经检偏器把偏振变化转为光强变化,从而实现物理量检测。
偏振态调制是指利用外界因素改变光的偏振特性,通过检测光的偏振态变化来检测各种物理量。光波是横波,其电场矢量 的振动方向垂直于传播方向。偏振态描述电场矢量端点随时间变化的轨迹,有线偏振、圆偏振和椭圆偏振等状态。当光在介质中传播时,若介质的光学性质(如折射率)受外界物理量作用而改变,则光的偏振态可能发生变化。
在平行于光传播方向加一强磁场,偏振光的光矢量发生旋转,旋转角度与在物质中通过的距离、磁感应强度成正比。这一现象称为法拉第磁光效应。其数学表达式为:
其中 为偏振面旋转角(单位:弧度或度), 为费尔德常数(与介质和波长有关,单位:rad/(T·m) 或 °/(T·m)), 为磁感应强度(单位:T), 为光在介质中通过的距离(单位:m)。据此可制成光纤磁传感器,通过测量偏振面的旋转角来检测磁场或电流。
各向同性的透明介质(如非晶体和液体)在外电场作用下显示出双折射现象,称为克尔电光效应。其折射率差与电场强度的平方成正比:
其中 为折射率差, 为克尔常数(单位:m/V²), 为光波长(单位:m), 为外加电场强度(单位:V/m)。由于折射率差与电场平方成正比,克尔效应通常需要较强的电场才能产生可观测的偏振变化。
各向同性的透明介质在机械应力作用下显示出光学上的各向异性,与双折射类似,称为光弹效应或应力双折射。应力使介质折射率发生变化,导致光通过时产生相位差,从而改变偏振态。相位差 与主应力差和介质几何传播长度 有关:
其中 为应力光学系数(单位:Pa⁻¹), 为沿两个主应力方向的主应力差(单位:Pa), 为光在介质中的几何传播长度/厚度(单位:m), 为光波长(单位:m)。静水均匀应力(各方向应力相等)不会无条件产生双折射;需存在主应力差并指定应力方向。当受应力物体置于两偏振片之间时,产生的双折射光发生干涉,形成彩色条纹图案,该图案反映了物体内部的应力分布。
偏振光路经检偏器把偏振改变转为强度变化。典型结构为:光源 → 起偏器 → 传感介质(受外界作用) → 检偏器 → 光电探测器。起偏器将自然光变为线偏振光,传感介质使偏振态发生变化(如旋转、变为椭圆偏振),检偏器将偏振态的变化转换为光强的变化,光电探测器测量光强即可反推出被测量。
设起偏器和检偏器的透光轴夹角为 ,根据马吕斯定律,输出光强 与输入光强 的关系为:
当传感介质仅使线偏振光偏振面旋转 (偏振仍为线偏振)时,输出光强变为:
通过测量光强变化即可获得 ,进而得到被测量。
若传感介质引起正交偏振分量之间的相位延迟(如克尔电光效应、光弹效应),输出一般为椭圆偏振,检偏器输出光强不能只用单一旋转角 的 表示,需按偏振态(如斯托克斯参量或正交分量相位差)描述。
法拉第磁光效应适用于磁场或电流的测量,不要求强磁场门槛;可采用高费尔德常数介质、长光路与高灵敏检测来测量弱磁场,实际可观测信号取决于介质费尔德常数、光路长度、磁场大小及检测灵敏度。克尔电光效应适用于电场或电压的测量,通常需要较高的电场强度。光弹效应适用于应力、压力、振动等机械量的测量。偏振态调制型光纤传感器通常需要保偏光纤或普通光纤但需考虑光纤自身双折射的影响,且外界温度、振动等可能引入干扰,需采取补偿措施。
基础测试统一使用选择题,先确认概念、定义和关键判断是否扎实。
关于法拉第磁光效应,下列说法正确的是
在偏振态调制型光纤传感器中,检偏器的主要作用是
克尔电光效应中,介质折射率差 与外加电场强度 的关系是
暂无引用。