短气隙为何仍可能贡献主要磁阻?
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磁阻描述磁路对磁通建立的阻碍,气隙很短也可能占主要磁阻,近似前应比较各段长度、截面与磁导率。
教材把铁心和衔铁分段,并计入两个气隙:
lᵢ为磁路段长度(m),μᵢ为绝对磁导率(H/m),Aᵢ为截面积(m²);δ为一个气隙厚度,A₀为有效气隙面积,μ₀为空气近似磁导率。Rₘ单位H⁻¹,等价安匝/Wb。相对磁导率μᵣ无量纲,须以μ=μ₀μᵣ换算。
铁磁材料磁导率比空气大,短气隙也可贡献主要磁阻。只有铁心/衔铁项相比气隙项很小,才可近似:
“气隙短”不意味着可忽略气隙。应比较l/(μA),还须考虑允许模型误差。面积增大使气隙磁阻减小;厚度增大使它增大。简单串联模型忽略漏磁和边缘效应,不能当全部实物的精确值。
系数2来自所示磁路的两个空气路径,不是所有带气隙线圈都要乘2,结构改变后须重新数磁路。
基础测试统一使用选择题,先确认概念、定义和关键判断是否扎实。
短气隙为何仍可能贡献主要磁阻?
式中μ为绝对磁导率,可直接代入μᵣ=1000吗?