光刻图形转移基本步骤
以涂胶、曝光、显影和图形转移为主线,说明光刻如何把掩模图形复制到基片表面薄膜或光刻胶上。
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以涂胶、曝光、显影和图形转移为主线,说明光刻如何把掩模图形复制到基片表面薄膜或光刻胶上。
双目/多目视差定义、视差角与基线、目标距离的几何关系。
导电复合材料中颗粒接触网络随形变重构,改变导电通路与电阻,是压阻效应的基础。
氢键在形变中可逆断裂重组,通过动态交换产生滞后与界面能量耗散。
说明湿法刻蚀与干法刻蚀的基本作用、材料去除方式及选择去除目标材料的一般考虑。
说明物理气相沉积与化学气相沉积作为薄膜沉积基本方法的作用与一般区别。
电磁波遇悬浮粒子发生散射与吸收,散射截面与雷达截面积描述回波强弱。
薄透镜成像的物距、像距、焦距关系及放大率,用于分析摄像头成像几何。
给出雷达截面积定义、与回波功率的关系及影响回波强度的条件。