CCD与CMOS成像器件比较
CCD与CMOS图像传感器在成本、读出方式、灵敏度和功耗上各有取舍，其比较结论需结合具体器件档次与历史技术条件理解。
浏览卡片
当前筛选：光电式传感器 / 专题
共 1622 张公开卡片，当前显示 9 张。
卡片列表
FBG应变与温度交叉敏感分析
应变与温度都改变FBG有效折射率和栅距，单个中心波长漂移通常不能唯一分离两者，需独立观测和条件明确的标定。
M法与T法编码器测速比较
M法固定时间数编码器脉冲，T法量编码器周期内标准时钟数；低高速适用依量化、计时与更新时间条件，半周期门控不能漏系数2。
二进制码盘与格雷码码盘比较
二进制码盘在相邻码位切换时可能多位同时翻转，而格雷码（循环码）码盘保证相邻区域只有一位变化，从而避免粗大误差。
光伏电池负载工作方式选择
光伏电池作测量元件时应依据负载电阻大小选择工作方式：负载越小越接近短路状态，短路电流与光照强度线性关系越好，故应作电流源使用而非电压源。
光敏二极管与光敏三极管比较
光敏三极管在光敏二极管的基础上集成了电流放大，因而光电流大、灵敏度高，但暗电流、响应时间和线性度均不如光敏二极管。
光栅细分方式比较
位置、电桥和电阻链细分分别依空间布局或正交信号权重形成相位；设计细分数须与真实触发事件及误差条件共同比较。
功能型与非功能型光纤传感器比较
按光纤是否同时承担敏感转换，光纤传感器分为功能型（光纤既传光又敏感）与非功能型（光纤只传光、另加敏感元件）。
莫尔条纹间距与位移关系推导
莫尔条纹把两片光栅以小夹角 θ 叠合后产生的条纹间距放大为 BH≈W/θ，光栅每移一个栅距 W，条纹就移一个 BH，从而用大位移读数换算出小位移。