两类硅基微加工主要按什么区分?
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硅基微加工分表面薄膜与牺牲层工艺、体材料选择去除,两者按结构形成机制区分。
教材硅基微加工分表面微加工与体微加工。区别在于目标结构主要怎样形成,而非是否出现刻蚀这个词。
| 方法 | 结构形成机制 | 关键 |
|---|---|---|
| 表面微加工 | 在基片上沉积、光刻多层薄膜,再去除支撑的牺牲层,保留结构层 | 薄膜生成和牺牲层制作 |
| 体微加工 | 按设计选择性去除硅片或其他体材料,显露几何微结构 | 蚀刻及选择性去除 |
表面工艺的结构层与牺牲层职责不同,去除的是待释放结构的支撑材料;体工艺主要在原有体材料上选择去除。两类都可能用刻蚀,所以不能按“用了刻蚀”就一律归为体微加工。
悬浮可动薄膜例可沿表面沉积、图形化、释放流程分析;要在体材料中形成某几何结构,则检查选择性去除。具体工艺还受材料和设计限制,本分类不表示每个器件只能采用一个独立环节。
基础测试统一使用选择题,先确认概念、定义和关键判断是否扎实。
两类硅基微加工主要按什么区分?
表面工艺释放悬浮结构时,重点去除什么?
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