热敏电阻热容量

标称电阻值

热敏电阻的标称电阻值 $R_H$ 指在 25±0.2℃ 条件下的冷电阻，其数值由半导体材料种类和元件几何尺寸共同决定。它是选用和比较热敏电阻的基准点，其他参数（如能量灵敏度、时间常数）都以此温度附近的工作状态为参照。

耗散系数 H

耗散系数 $H$ 定义为热敏电阻温度比环境温度高出 1℃ 时所耗散的功率，单位为 mW/℃。它反映元件向环境散热的难易程度：H 越大，同样的耗散功率引起的温升越小。H 与元件的结构、尺寸、封装以及环境介质（静止空气、流动气体、液体、接触压力等）有关。

热容量 C

热容量 $C$ 定义为热敏电阻温度变化 1℃ 所需的热量，单位为 J/℃。它由元件的材料比热容、质量以及结构决定，是表征元件热惯性的量。C 越大，元件温度改变越迟缓。

能量灵敏度 G

能量灵敏度 $G$ 定义为使热敏电阻阻值改变 1% 所需的耗散功率，单位为 W。它把电功率输入与电阻相对变化联系起来，数值越小表示元件对功率越敏感。

时间常数 τ

时间常数 $\tau$ 定义为环境温度发生阶跃突变后，热敏电阻温度变化达到该温差 0.63 倍（即 $1-1\mathrm{/}e$）所需的时间。在只考虑热容量与散热系数的一阶热模型中，

其中 $C$ 为热容量（J/℃），$H$ 为耗散系数（W/℃）。该式说明：热容量越小、散热系数越大，时间常数越小，元件对温度变化的响应越快。热敏电阻因体积小、热容量小，故时间常数小、响应快，适合测量快速变化的温度。

额定功率 PE

额定功率 $P_E$ 指在标准压力及最高温度下长期使用时允许的最大耗散功率，单位为 W。超过该值会导致元件过热甚至损坏。

参数间的关系

上述参数并非彼此独立：$C$ 与 $H$ 共同决定 $\tau$；$G$ 描述阻值变化对功率的敏感程度；$P_E$ 则给出安全工作的功率上限。选用热敏电阻时，需根据被测温度变化的快慢（决定对 $\tau$ 的要求）、环境散热条件（影响 $H$）以及允许的自热功率（受 $P_E$ 限制）综合权衡。