背照式CCD中光从哪一面进入?
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背照式CCD让光从芯片背面入射,在半导体内部产生电子并存入势阱,再经电极控制转移、由输出端读出电信号。
CCD(电荷耦合器件)图像传感器把光信号转换为电荷包,再通过电荷转移和输出电路读出电信号。在背照式结构中,光从半导体衬底的背面入射,而不是从正面(电极与互连层一侧)入射。这样做的直接原因是:正面布有转移电极和互连结构,会遮挡和反射部分入射光;从背面入光可避开这些遮挡,使光更有效地到达光电转换区。但背照式结构并非任意从厚衬底背面入射即可直接有效到达光电区,还需配合衬底减薄、背面处理和有效收集区设计等条件,才能保证光生载流子被有效收集。
光子从背面进入半导体后,在半导体内部被吸收并激发电子。课件给出的流程第一步即为“背照明光输入半导体,产生电子(e⁻)”。这里的关键关系是:入射光在半导体中产生电子,电子数量与入射光在该像元上的强弱相关,从而把光信息承载为电荷信息。
产生的电子不会立即被读出,而是在势阱中聚集存储。势阱由电极上的电压在半导体表面附近形成,电子被收集在势阱内,形成与光照对应的电荷包。课件流程第二步为“电子在势阱中聚集存储”。
存储的电荷包在电极控制下沿半导体表面逐级转移。课件流程第三步为“电子包在电极控制下沿半导体表面向右转移”。转移依靠相邻电极电压的时序变化,使势阱位置依次移动,电荷包随之向输出端方向传递。
电荷包到达输出端后,由输出电路转换为电信号。课件流程第四步为“电荷转移至输出端,通过复位电路和输出晶体管进行信号转换与输出”。输出端涉及复位(Reset)和输出(Output)功能,并出现 V_REF、V_DD 等电压控制节点。复位电路用于在每次读出后清除已读电荷,使输出端恢复初始状态,以便下一个电荷包被检测。
从功能上看,背照式CCD的完整路径为:背面入光 → 半导体中产生电子 → 势阱存储 → 电极控制转移 → 输出端检测并输出电信号。这一路径把光强分布转换为随时间顺序输出的电信号序列。
教材按单位照度、单位时间、单位面积产生的信号电量描述灵敏度。对所述未饱和、近似线性条件,可用S=Q/(E t A)组织比较:E为照度、t为积分时间、A为受光面积、Q为有效信号电荷,不把暗电荷全当有效光信号。
光谱不同,即使照度相同,收集电荷也可能不同;比较需固定光谱、温度和读出条件。原书说前照时多晶硅层使蓝光灵敏度下降,背照需减薄,并提抗反射层改善透光。这些是结构和工艺条件,约10μm的书中厚度不当作全部背照器件通用规格。
基础测试统一使用选择题,先确认概念、定义和关键判断是否扎实。
背照式CCD中光从哪一面进入?
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